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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Single-cell whole-genome analyses by Linear Amplification via Transposon Insertion (LIANTI) 期刊论文 SCIENCE, 2017 Chen, Chongyi; Xing, Dong; Tan, Longzhi; Li, Heng; Zhou, Guangyu; Huang, Lei; Xie, X. Sunney 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2017/12/03 MULTIPLE DISPLACEMENT AMPLIFICATION  DNA-DAMAGE  CHROMATIN ORGANIZATION  EXCISION-REPAIR  MUTATION-RATES  CANCER  TRANSCRIPTION  NUCLEOTIDE  STRAND  RECOMBINATION   Heavy ion induced electrical property degradation in sub-100 nm bulk silicon MOS devices 期刊论文 半导体学报（英文版）, 2015 Chen Yehua; An Xia; Wu Weikang; Zhang Yao; Liu Jingjing; Zhang Xing; Huang Ru 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/12/03 heavy ion displacement damage bulk silicon  heavy ion  displacement damage  bulk silicon   Investigation on the Response of TaOx-based Resistive Random-Access Memories to Heavy-Ion Irradiation 期刊论文 ieee核科学汇刊, 2013 Tan, Fei; Huang, Ru; An, Xia; Cai, Yimao; Pan, Yue; Wu, Weikang; Feng, Hui; Zhang, Xing; Wang, YangYuan 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/10 Heavy-ion irradiation  HRS  LRS  RRAM  DISPLACEMENT DAMAGE  ELECTRICAL CHARACTERISTICS  GALLIUM-ARSENIDE  RADIATION  SEMICONDUCTORS  MEMRISTORS  MOBILITY  DEVICES   Total ionizing dose and single-event effect in vertical channel double-gate nMOSFETs 期刊论文 semiconductor science and technology, 2013 Tan, Fei; An, Xia; Xue, Shoubin; Huang, Liangxi; Wu, Weikang; Zhang, Xing; Huang, Ru 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 DISPLACEMENT DAMAGE  SILICON  DEVICES  CELL   Impact of the displacement damage in channel and source/drain regions on the DC characteristics degradation in deep-submicron MOSFETs after heavy ion irradiation 期刊论文 chinese physics b, 2010 Xue Shou-Bin; Huang Ru; Huang De-Tao; Wang Si-Hao; Tan Fei; Wang Jian; An Xia; Zhang Xing 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 CMOS devices  displacement damage  heavy ion irradiation  gamma ray irradiation  THIN GATE OXIDE  INDUCED LEAKAGE CURRENT  RELIABILITY DEGRADATION  SOI MOSFETS  BREAKDOWN  STRIKES  DEVICES  STRESS