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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [5]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2006 [1]
2000 [1]
1997 [1]
1994 [1]
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学科主题
半导体物理 [6]
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学科主题:半导体物理
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2-5m InAs/GaSb superlattices infrared photodetector
期刊论文
hongwai yu jiguang gongcheng/infrared and laser engineering, 2011, 卷号: 40, 期号: 8, 页码: 1403-1406
Xu, Yingqiang
;
Tang, Bao
;
Wang, Guowei
;
Ren, Zhengwei
;
Niu, Zhichuan
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/06/14
Alignment
Atomic force microscopy
Atomic spectroscopy
Detectors
Epitaxial growth
Gallium alloys
Gallium arsenide
Indium arsenide
Infrared detectors
Molecular beam epitaxy
Molecular beams
Optoelectronic devices
Semiconducting gallium
Superlattices
Transmission electron microscopy
X ray diffraction
Strain and magnetic anisotropy of as-grown and annealed Fe films on c(4x4) reconstructed GaAs (001) surface
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 1, 页码: art. no. 013911
作者:
Chen L
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浏览/下载:74/0
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提交时间:2010/03/08
annealing
gallium arsenide
iron
magnetic anisotropy
magnetic epitaxial layers
magnetisation
molecular beam epitaxial growth
transmission electron microscopy
X-ray diffraction
Interfaces in heterostructures of AlInGaN/GaN/Al2O3
期刊论文
superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 429-435
Zhou SQ
;
Wu MF
;
Yao SD
;
Liu JP
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2010/04/11
nitride semiconductors
interface
Rutherford backscattering/channeling
transmission electron microscopy
x-ray diffraction
SUPER-LATTICES
STRAIN
GAN
Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
作者:
Han PD
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/10/29
AlGaN/GaN heterostructures
In-doping
2DEG
electron sheet density
X-ray diffraction
etching
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
MOBILITY
GROWTH
FILMS
Kinetics of dissociative water adsorption on stepped Si(001), on Si(115), Si(113), Si(5,5,12) and Si(112)
期刊论文
surface science, 1997, 卷号: 381, 期号: 1, 页码: 1-11
Ranke W
;
Xing YR
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/17
adsorption kinetics
low energy electron diffraction
low index single crystal surfaces
silicon
surface structure
morphology
roughness
and topography
vicinal single crystal surfaces
visible and ultraviolet photoelectron spectroscopy
water
SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY
CYLINDRICAL SILICON CRYSTAL
MILLER INDEX SURFACES
ROOM-TEMPERATURE
VICINAL SURFACES
ATOMIC-STRUCTURE
H2O
SI(100)
CHEMISORPTION
LEED
ESTIMATION OF THE STRAIN STATE OF GEXSI1-X/SI STRAINED-LAYER SUPERLATTICES BY DOUBLE-CRYSTAL X-RAY-DIFFRACTION
期刊论文
journal of crystal growth, 1994, 卷号: 141, 期号: 0, 页码: 103-108
DUAN XF
;
FUNG KK
;
CHU YM
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/11/15
BEAM ELECTRON-DIFFRACTION
EPITAXIAL LAYERS
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