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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A fully three-dimensional atomistic quantum mechanical study on random dopant-induced effects in 25-nm MOSFETs 期刊论文 ieee transactions on electron devices, 2008, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 1720-1726 Jiang, XW; Deng, HX; Luo, JW; Li, SS; Wang, LW 收藏  |  浏览/下载：153/1  |  提交时间：2010/03/08 dopant fluctuation  linear combination of bulk band (LCBB)  MOSFET  quantum mechanical  threshold  3-D   Stress analysis of ZnO film with a GaN buffer layer on sapphire substrate 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2277-2280 Cui, JP; Wang, XF; Duan, Y; He, JX; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/03/08 THIN-FILMS  BULK ZNO  SCATTERING  PRESSURE   Fine structure of the plasmon resonance absorption peak of Ag nanoparticles embedded in partially oxidized Si matrix 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 1, 页码: 102-104 Yang L; Li GH; Zhang JG; Zhang LD; Liu YL; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 SMALL METAL PARTICLES  OPTICAL-PROPERTIES  DEPENDENCE  SURFACE  SILVER  BULK