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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A Sampled Grating DBR Laser Monolithically Integrated by Using SOAs with 22 mW Output Power and 51 ITU 100 GHz Channels over 43 nm 期刊论文 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.24212 作者:  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：48/6  |  提交时间：2011/07/05 TUNING RANGE  PERFORMANCE  DESIGN   Broadband tunable external cavity laser using a bent-waveguide quantum-dot superluminescent diode as gain device 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 064202 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：43/4  |  提交时间：2011/07/15 LIGHT-EMITTING-DIODES  OPTICAL-PROPERTIES  TUNING RANGE  NM  EMISSION  SPECTRUM  SPECTROSCOPY   Delay of the excited state lasing of 1310 nm InAs/GaAs quantum dot lasers by facet coating 期刊论文 applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 17, 页码: art. no. 171101 Cao YL (Cao Yu-Lian); Yang T (Yang Tao); Xu PF (Xu Peng-Fei); Ji HM (Ji Hai-Ming); Gu YX (Gu Yong-Xian); Wang XD (Wang Xiao-Dong); Wang Q (Wang Qing); Ma WQ (Ma Wen-Quan); Chen LH (Chen Liang-Hui) 收藏  |  浏览/下载：221/51  |  提交时间：2010/05/24 excited states  gallium arsenide  III-V semiconductors  indium compounds  laser tuning  optical films  quantum dot lasers  silicon compounds  tantalum compounds  TEMPERATURE-DEPENDENCE  THRESHOLD  PERFORMANCE  GAIN   Broadly Tunable Grating-Coupled External Cavity Laser With Quantum-Dot Active Region 期刊论文 ieee photonics technology letters, 2010, 卷号: 22, 期号: 24, 页码: 1799-1801 Lv XQ (Lv X. Q.); Jin P (Jin P.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/12/27 Broadband tuning  external cavity  quantum dots (QDs)  tunable laser   Broadband external cavity tunable quantum dot lasers with low injection current density 期刊论文 optics express, 2010, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 8916-8922 作者:  Wang WY;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：171/44  |  提交时间：2010/05/24 LIGHT-EMITTING-DIODES  NM TUNING RANGE  SUPERLUMINESCENT DIODES  WELL LASER  EMISSION  SPECTROSCOPY  SPECTRUM   A broadband external cavity tunable InAs/GaAs quantum dot laser by utilizing only the ground state emission 期刊论文 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: art. no. 018104 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：99/17  |  提交时间：2010/04/04 quantum-dot  tunable laser  external cavity  broadband tuning  NM TUNING RANGE  SUPERLUMINESCENT DIODES  LIGHT-SOURCE  WELL LASER  SPECTROSCOPY  SPECTRUM