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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of Threshold Ion Range for Accurate Single Event Upset Measurements in Both SOI and Bulk Technologies 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2014, 卷号: 61, 页码: 1459-1467 作者:  Luo, Jie;  Yao, Huijun;  Sun, Youmei;  Xi, Kai;  Geng, Chao 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/07/05 Bragg Peak  Ion Range  Silicon-on-insulator  Single Event Upset   Supply Voltage Dependence of Single Event Upset Sensitivity in Diverse SRAM Devices 会议论文 作者:  Su, Hong;  Zhang, Zhangang;  Lei, Zhifeng;  En, Yunfei;  Huang, Yun 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2018/08/20 single event upset  supply voltage  static random access memeory  critical charge   Supply Voltage Dependence of Single Event Upset Sensitivity in Diverse SRAM Devices 会议论文 作者:  Liu, Tianqi;  Ji, CY;  En, YF;  Huang, Yun;  En, Yunfei 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/08/20 single event upset  supply voltage  static random access memeory  critical charge   Monte Carlo simulation based on Geant4 of single event upset induced by heavy ions 期刊论文 SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2013, 卷号: 56, 页码: 1120-1125 作者:  Zhang ZhanGang;  Liu Jie;  Geng Chao;  Mo Dan;  Yao HuiJun 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/07/05 Seu Occurrence  Sensitive Volume  Critical Charge  Deposited Energy  Mufpsa   Influence of Deposited Energy in Sensitive Volume on Temperature Dependence of SEU Sensitivity in SRAM Devices 会议论文 作者:  Liu, Tianqi;  Geng, Chao;  Zhang, Zhangang;  Zhao, Fazhan;  Hou, Mingdong 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2018/08/20 Single event upset  temperature dependence  energy deposition  Monte Carlo simulation  SRAM  heavy ions  bulk and SOI technologies   Influence of Deposited Energy in Sensitive Volume on Temperature Dependence of SEU Sensitivity in SRAM Devices 会议论文 作者:  Liu, Jie;  Sun, Youmei;  Tong, Teng;  Zhao, Fazhan;  Zhang, Zhangang 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/08/20 Single event upset  temperature dependence  energy deposition  Monte Carlo simulation  SRAM  heavy ions  bulk and SOI technologies