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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响 期刊论文 半导体光电, 2017, 期号: 1, 页码: 61-65 作者:  操神送;  杜云辰;  朱龙源;  兰添翼;  赵水平 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/11/20 ICP干法刻蚀  碲镉汞光导材料  刻蚀气压  电学特性   长波碲镉汞材料阳极氧化膜ZnS界面电学特性参数的研究 期刊论文 红外与毫米波学报, 2013, 卷号: 32, 期号: 2 王妮丽; 刘诗嘉; 兰添翼; 赵水平; 李向阳 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2014/11/05 碲镉汞  MIS  钝化   一种细长型的碲镉汞单元光导探测器 专利 专利号: 201010182345.5, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14 作者:  1 王妮丽 2 刘诗嘉 3 赵水平 4 兰添翼 5 许金通 6姜佩璐 7 朱龙源 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/01/14 背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器 专利 专利号: 200910226302.X, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-07-07 作者:  1 赵水平 2 朱龙源 3李向阳 4 刘诗嘉 5 兰添翼 6王妮丽 7 蔡子健 8 贾嘉 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2011/07/07 高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器 专利 专利号: 200910225371.9, 申请日期: 2011-01-01, 公开日期: 2011-12-15 作者:  1 包西昌 2 朱龙源 3 李向阳 4 兰添翼5赵水平6王妮丽 7 刘诗嘉 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2011/12/15