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半导体研究所 [23]
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Growth of 4H-SiC epilayers with low surface roughness and morphological defects density on 4 degrees off-axis substrates
期刊论文
applied surface science, 2013, 卷号: 270, 页码: 301-306
Dong, Lin
;
Sun, Guosheng
;
Yu, Jun
;
Zheng, Liu
;
Liu, Xingfang
;
Zhang, Feng
;
Yan, Guoguo
;
Li, Xiguang
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2013/09/17
Analysis and modeling of localized faceting on 4H-SiC epilayer surfaces
期刊论文
physica status solidi (a), 2013, 卷号: 210, 期号: 11, 页码: 2503–2509
Lin Dong, Guosheng Sun, Liu Zheng, Xingfang Liu, Feng Zhang, Guoguo Yan, Lixin Tian, Xiguang Li, Zhanguo Wang
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2014/03/17
Growth of f4H-SiC epilayers with low surface roughness and morphological defects density on 4° off-axis substrates
期刊论文
applied surface science, 2013, 卷号: 270, 页码: 301-306
Dong, Lin
;
Sun, Guosheng
;
Yu, Jun
;
Zheng, Liu
;
Liu, Xingfang
;
Zhang, Feng
;
Yan, Guoguo
;
Li, Xiguang
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2014/03/17
Infrared reflectance study of 3C-SiC epilayers grown on silicon substrates
期刊论文
journal of physics d: applied physics, 2012, 卷号: 45, 期号: 24, 页码: 245102
Dong, Lin
;
Sun, Guosheng
;
Zheng, Liu
;
Liu, Xingfang
;
Zhang, Feng
;
Yan, Guoguo
;
Zhao, Wanshun
;
Wang, Lei
;
Li, Xiguang
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2013/04/22
Epitaxial growth on 4H-SiC by TCS as a silicon precursor
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 21-25
作者:
Liu Xingfang
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/11/23
Laterally Electrostatically Driven Poly 3C-SiC Folded-Beam Resonant Microstructures
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 8, 页码: 1453-1456
作者:
Wang Liang
;
Ning Jin
;
Zhao Yongmei
;
Liu Xingfang
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC Films on Maskless Patterned Silicon Substrates
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1254-1257
作者:
Liu Xingfang
;
Ning Jin
;
Zhao Yongmei
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
Preferential orientation growth of ain thin films on si (111) substrates by lp-mocvd
期刊论文
Modern physics letters b, 2007, 卷号: 21, 期号: 22, 页码: 1437-1445
作者:
Zhao, Yongmei
;
Sun, Guosheng
;
Liu, Xingfang
;
Li, Jiaye
;
Zhao, Wanshun
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Aluminum nitride
Low pressure metalorganic chemical vapor deposition (lp-mocvd)
V/iii ratio
Preferential orientation growth mechanism
Improved field emission properties from metal-coated diamond films
期刊论文
Diamond and related materials, 2007, 卷号: 16, 期号: 3, 页码: 650-653
作者:
Zhao, Yongmei
;
Zhang, Binglin
;
Yao, Ning
;
Sun, Guosheng
;
Li, Jinmin
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Mwpcvd diamond films
Metal coatings
Field emission properties
Heavily doped polycrystalline 3C-SiC growth on SiO2/Si(100) substrates for resonator applications
会议论文
6th european conference on silicon carbide and related materials, newcastle upon tyne, england, sep, 2006
Sun, G (Sun, Guosheng)
;
Ning, J (Ning, Jin)
;
Liu, X (Liu, Xingfang)
;
Zhao, Y (Zhao, Yongmei)
;
Li, J (Li, Jiaye)
;
Wang, L (Wang, Lei)
;
Zhao, W (Zhao, Wanshun)
;
Wang, L (Wang, Liang)
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浏览/下载:87/29
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提交时间:2010/03/29
polycrystalline 3C-SiC
resonator
doping
SILICON-CARBIDE
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