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一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:  李成明
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一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:  李成明
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利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:  李成明
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具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:  李成明
收藏  |  浏览/下载：76/5  |  提交时间：2009/06/11
具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:  李成明
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具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:  李成明
收藏  |  浏览/下载：71/6  |  提交时间：2009/06/11
生长在（311）A面GaAs衬底上的InAlAs/AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究 期刊论文
红外与毫米波学报, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 53
陈晔; 李国华; 朱作明; 韩和相; 汪兆平; 周伟; 王占国
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多层In_(0.55)Al_(0.45)As/A_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的变温光致发光研究 期刊论文
红外与毫米波学报, 2000, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 19
陈晔; 张旺; 李国华; 朱作明; 韩和相; 汪兆平; 周伟; 王占国
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23
量子点的介电常数 期刊论文
科学通报, 1998, 卷号: 43, 期号: 7, 页码: 709
林兆军; 王占国; 许燕; 陈伟; 李国华; 方克明; 林兰英
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高纯外延GaAs中浅施主杂质的光热电离谱研究 期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 4, 页码: 246
作者:  陈涌海
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