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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 硅基锗材料生长与高效发光 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 胡炜玄 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2012/06/18 Si(001)衬底上分子束外延生长Ge_(0.975)Sn_(0.025)合金薄膜 期刊论文 物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 028101-1-028101-5 作者:  苏少坚;  汪巍;  张广泽;  左玉华;  薛春来 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/08/16 硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管 期刊论文 激光与光电子学进展, 2010, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 14-14 作者:  苏少坚;  薛春来;  胡炜玄;  成步文;  薛海韵 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2011/08/16 外延生长Gel-xSnx合金的研究进展 期刊论文 材料导报, 2010, 卷号: 24, 期号: 11上, 页码: 90-93，117 作者:  左玉华;  汪巍;  胡炜玄;  张广泽;  成步文 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2011/08/16 用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构 期刊论文 物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 7, 页码: 4997-5001 作者:  苏少坚;  白安琪;  胡炜玄;  樊中朝;  成步文 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30 作者:  薛春来 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2011/08/30 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华 收藏  |  浏览/下载：216/0  |  提交时间：2011/08/30 GeSn合金的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30 成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2011/08/30 亚微米波导型Ge量子阱电光调制器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 赵红卫; 胡炜玄; 成步文; 王启明 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/09/09