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浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Room temperature direct-bandgap electroluminescence from n-type strain-compensated Ge/SiGe multiple quantum wells 期刊论文 applied physics letters, 2013, 卷号: 101, 期号: 23, 页码: 231108 Liu, Zhi; Hu, Weixuan; Li, Chong; Li, Yaming; Xue, Chunlai; Li, Chuanbo; Zuo, Yuhua; Cheng, Buwen; Wang, Qiming 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/10/10 硅基锗材料生长与高效发光 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 胡炜玄 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2012/06/18 Enhanced photoluminescence of multilayer Ge quantum dots on Si(001) substrates by increased overgrowth temperature 期刊论文 nanoscale research letters, 2012, 卷号: 7, 页码: 1-11 Liu, Zhi; Cheng, Buwen; Hu, Weixuan; Su, Shaojian; Li, Chuanbo; Wang, Qiming 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/05/07 Room temperature direct-bandgap electroluminescence from n-type strain-compensated Ge/SiGe multiple quantum wells 期刊论文 applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 23, 页码: 231108 Liu Z (Liu, Zhi); Hu WX (Hu, Weixuan); Li C (Li, Chong); Li YM (Li, Yaming); Xue CL (Xue, Chunlai); Li CB (Li, Chuanbo); Zuo YH (Zuo, Yuhua); Cheng BW (Cheng, Buwen); Wang QM (Wang, Qiming) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/03/20 LIGHT-EMITTING-DIODES  GE  SI  SILICON  GAIN  GAP   Enhanced photoluminescence and electroluminescence of multilayer GeSi islands on Si(001) substrates by phosphorus-doping 期刊论文 optics express, 2012, 卷号: 20, 期号: 20, 页码: 22327-22333 Liu Z (Liu, Zhi); Hu WX (Hu, Weixuan); Su SJ (Su, Shaojian); Li C (Li, Chong); Li CB (Li, Chuanbo); Xue CL (Xue, Chunlai); Li YM (Li, Yaming); Zuo YH (Zuo, Yuhua); Cheng BW (Cheng, Buwen); Wang QM (Wang, Qiming) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/03/27 Ge-on-Si for Si-based integrated materials and photonic devices 期刊论文 frontiers of optoelectronics, 2012, 卷号: 5, 期号: 1, 页码: 41-50 Hu Weixuan,Cheng Buwen,Xue Chunlai,Su Shaojian,Xue Haiyun,Zuo Yuhua,Wang Qiming 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/06/03 The contributions of composition and strain to the phonon shift in ge1-xsnx alloys 期刊论文 Solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 8, 页码: 647-650 作者:  Su, Shaojian;  Wang, Wei;  Cheng, Buwen;  Hu, Weixuan;  Zhang, Guangze 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Semiconductors  Raman scattering   Gesn p-i-n photodetector for all telecommunication bands detection 期刊论文 Optics express, 2011, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 6408-6413 作者:  Su, Shaojian;  Cheng, Buwen;  Xue, Chunlai;  Wang, Wei;  Cao, Quan 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Epitaxial growth and thermal stability of ge(1-x)sn(x) alloys on ge-buffered si(001) substrates 期刊论文 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46 作者:  Su, Shaojian;  Wang, Wei;  Cheng, Buwen;  Zhang, Guangze;  Hu, Weixuan 收藏  |  浏览/下载：106/0  |  提交时间：2019/05/12 Thermal stability  Molecular beam epitaxy  Germanium tin alloys  Germanium   Si(001)衬底上分子束外延生长Ge_(0.975)Sn_(0.025)合金薄膜 期刊论文 物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 028101-1-028101-5 作者:  苏少坚;  汪巍;  张广泽;  左玉华;  薛春来 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2011/08/16