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Multistate Logic Inverter Based on Black Phosphorus/SnSeS Heterostructure 期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 卷号: 6, 期号: 11, 页码: 2000879
作者:  Wenxing Lv ;   Xia Fu ;   Xin Luo ;   Weiming Lv ;   Jialin Cai ;   Baoshun Zhang ;   Zhongming Wei ;   Zhongyuan Liu ;   Zhongming Zeng
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2021/05/24
Multistate Logic Inverter Based on Black Phosphorus/ SnSeS Heterostructure 期刊论文
Advanced Electronic Materials, 2019, 卷号: 5, 期号: 1, 页码: 1800416
作者:  Wenxing Lv;   Xia Fu;   Xin Luo;   Weiming Lv;   Jialin Cai;   Baoshun Zhang;   Zhongming Wei;   Zhongyuan Liu;   Zhongming Zeng
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/07/31
Extraction of terahertz emission from a grating-coupled high-electron-mobility transistor 期刊论文
journal of semiconductors, 2013, 卷号: 34, 期号: 2, 页码: 022002
Yu, Zhou; Xinxing, Li; Renbing, Tan; Wei, Xue; Yongdan, Huang; Shitao, Lou; Baoshun, Zhang; Hua, Qin
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/05/08
A Double-Gate AlGaN/GaN HEMT With Improved Dynamic Performance 期刊论文
ieee electron device letters, 2013, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 747-749
Yu, Guohao; Cai, Yong; Wang, Yue; Dong, Zhihua; Zeng, Chunhong; Zhao, Desheng; Qin, Hua; Zhang, Baoshun
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/08/27
Dynamic Characterizations of AlGaN/GaN HEMTs With Field Plates Using a Double-Gate Structure 期刊论文
ieee electron device letters, 2013, 卷号: 34, 期号: 2, 页码: 217-219
Yu, Guohao; Wang, Yue; Cai, Yong; Dong, Zhihua; Zeng, Chunhong; Zhang, Baoshun
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/10/08
Distribution of dislocations in gasb and insb epilayers grown on gaas (001) vicinal substrates 期刊论文
Journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: 4
作者:  Li, Meicheng;  Qiu, Yongxin;  Liu, Guojun;  Wang, Yutian;  Zhang, Baoshun
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12
Investigation of gasb epilayer grown on vicinal gaas(001) substrate by high resolution x-ray diffraction 期刊论文
Physica scripta, 2007, 卷号: T129, 页码: 27-30
作者:  Qiu, Yongxin;  Li, Meicheng;  Wang, Yutian;  Zhang, Baoshun;  Wang, Yong
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12
硅基可协变衬底上生长三族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
张宝顺; 杨辉
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2009/06/11
Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 410-414
作者:  朱建军
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/11/23
缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响 期刊论文
中国科学. E辑， 技术科学, 2004, 卷号: 34, 期号: 0, 页码: 1
作者:  王玉田;  张书明;  朱建军
收藏  |  浏览/下载：116/0  |  提交时间：2010/11/23

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