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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：湖南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of growth temperature and metamorphic buffer on electron mobility of InAs film grown on Si substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文 Chinese Physics B, 2019, 卷号: Vol.28 No.2, 页码: 028101 作者:  Jing Zhang;  Hongliang Lv;  Haiqiao Ni;  Shizheng Yang;  Xiaoran Cui 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/17 Temperature dependence on the electrical and physical performance of InAs/AlSb heterojunction and high electron mobility transistors 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: Vol.27 No.9 作者:  Zhang, Jing;  Lv, Hongliang;  Ni, Haiqiao;  Niu, Zhichuan 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/26 temperature  mobility  two-dimensional  electron  gas  InAs/AlSb  HEMT