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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：武汉大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 In Situ Growth of Vanadium Oxide on Reduced Graphene Oxide for the Low-Temperature NO-SCR by NH3 期刊论文 Journal Wuhan University of Technology, Materials Science Edition, 2019, 卷号: 34, 期号: 3 作者:  Li, Meiyan;  Qi, Yanyuan;  Jin, Wei;  Jiao, Binqing;  Zhao, Jie 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/05 Raman Spectroscopy of Few-Quintuple Layer Topological Insulator Bi2Se3 Nanoplatelets 期刊论文 NANO LETTERS, 2011, 卷号: 11, 期号: 6 作者:  Zhang, Jun;  Peng, Zeping;  Soni, Ajay;  Zhao, Yanyuan;  Xiong, Yi 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/05 Topological Insulators  bismuth selenide  Raman spectroscopy  electron-phonon coupling  phonon softening  polyol synthesis   Dynamics of Bound Exciton Complexes in CdS Nanobelts 期刊论文 ACS NANO, 2011, 卷号: 5, 期号: 5 作者:  Xu, Xinlong;  Zhao, Yanyuan;  Sie, Edbert Jarvis;  Lu, Yunhao;  Liu, Bo 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05 CdS nanobelt  bound exciton complex  exciton interaction  ultrafast dynamics  defect level