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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：武汉大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High Mobility MoS2Transistor with Low Schottky Barrier Contact by Using Atomic Thick h-BN as a Tunneling Layer 期刊论文 Advanced Materials, 2016 作者:  Wang, Jingli;  Yao, Qian;  Huang, Chun-Wei;  Zou, Xuming;  Liao, Lei 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/05 Dielectric Engineering of a Boron Nitride/Hafnium Oxide Heterostructure for High-Performance 2D Field Effect Transistors 期刊论文 ADVANCED MATERIALS, 2016, 卷号: 28, 期号: 10 作者:  Liao, Lei;  Chen, Shanshan;  He, Lin;  Wu, Wen-Wei;  Jiang, Changzhong 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/05 High Mobility MoS2Transistor with Low Schottky Barrier Contact by Using Atomic Thick h-BN as a Tunneling Layer 期刊论文 Advanced Materials, 2016 作者:  Liao, Lei;  Wu, Wen-Wei;  Yao, Qian;  Chen, Shanshan;  Zou, Xuming 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/05 High Mobility MoS2 Transistor with Low Schottky Barrier Contact by Using Atomic Thick h-BN as a Tunneling Layer 期刊论文 ADVANCED MATERIALS, 2016, 卷号: 28, 期号: 37 作者:  Huang, Chun-Wei;  Fan, Zhiyong;  Zhang, Kai;  Wu, Wei;  Chen, Shanshan 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05 contact resistance  hexagonal boron nitride  MoS2  tunneling