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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：山东师范大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characterization of GaN films grown on silicon (1 1 1) substrates 期刊论文 2003, 卷号: 325, 页码: 230-234 作者:  Yang, Ying-Ge[1];  Ma, Hong-Lei[1];  Xue, Cheng-Shan[2];  Hao, Xiao-Tao[1];  Zhuang, Hui-Zhao[2] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/07 Preparation and properties of GaN films on GaAs (110) substrates 期刊论文 2003, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 387-390 作者:  Yang, Yingge[1];  Ma, Honglei[1];  Xue, Chengshan[2];  Zhuang, Huizhao[2];  Hao, Xiaotao[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/31 Preparation and properties of GaN nanostructures by post-nitridation technique 期刊论文 2003, 卷号: 334, 期号: 3-4, 页码: 287-291 作者:  Yang, Ying-Ge[1];  Ma, Hong-Lei[1];  Xue, Cheng-Shan[2];  Zhuang, Hui-Zhao[2];  Jin-Ma[1] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/28 Structure and luminescence of GaN films by sputtering post-annealing-reaction technique 期刊论文 2003, 卷号: 12, 期号: 8, 页码: 1402-1405 作者:  Ma, Hong-Lei[1];  Yang, Ying-Ge[1];  Xue, Cheng-Shan[2];  Zhuang, Hui-Zhao[2];  Hao, Xiao-Tao[1] 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/28 Preparation and structural properties for GaN films grown on Si (1 1 1) by annealing 期刊论文 2002, 卷号: 193, 期号: 1-4, 页码: 254-260 作者:  Yang, Ying-Ge[1];  Ma, Hong-Lei[1];  Xue, Cheng-Shan[2];  Zhuang, Hui-Zhao[2];  Hao, Xiao-Tao[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/31 Investigation of preparation and characterization of GaN films on sapphire (0001) substrates 期刊论文 2002, 卷号: 202, 期号: 3-4, 页码: 295-300 作者:  Yang, Ying-Ge[1];  Ma, Hong-Lei[1];  Xue, Cheng-Shan[2];  Zhuang, Hui-Zhao[2];  Hao, Xiao-Tao[1] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/28