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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：河北大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Highly Transparent Bipolar Resistive Switching Memory in Zr0.5Hf0.5O2 Films With Amorphous Semiconducting In-Ga-Zn-O as Electrode 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 卷号: 62, 期号: 10, 页码: 3244-3249 作者:  Yan, Xiaobing[1];  Zhang, Erpeng[2];  Hao, Hua[3];  Chen, Yingfang[4];  Bai, Gang[5] 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/21 Relaxation behavior  resistive switching (RS) mechanism  transparent resistive random access memory (TRRAM)  Zr0.5Hf0.5O2   The flexoelectric effect associated size dependent pyroelectricity in solid dielectrics 期刊论文 AIP ADVANCES, 2015, 卷号: 5, 期号: 9 作者:  Bai, Gang[1];  Liu, Zhiguo[2];  Xie, Qiyun[3];  Guo, Yanyan[4];  Li, Wei[5] 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/21 Resistive switching model change induced by electroforming in alpha-Fe2O3 films 期刊论文 PHYSICS LETTERS A, 2015, 卷号: 379, 期号: 38, 页码: 2392-2395 作者:  Yan, Xiaobing[1];  Li, Yucheng[2];  Zhao, Jianhui[3];  Xia, Yidong[4];  Zhang, Minglong[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/21 Electronic structures of Hg-doped anatase TiO2 with different O vacancy concentrations 期刊论文 MATERIALS SCIENCE-POLAND, 2014, 卷号: 32, 期号: 1, 页码: 93-97 作者:  Zheng, S. K.[1];  Wu, Guohao[2];  Zhang, Suoliang[3];  Su, Jie[4];  Liu, Lei[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/21 Hg doping  anatase TiO2  O vacancy  first-principles   Impact of thermal stress on the piezoelectric and dielectric properties of PbTiO3 thick films on various substrates 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 116, 期号: 5 作者:  Bai, Gang[1];  Liu, Zhiguo[2];  Yan, Xiaobing[3];  Zhang, Changchun[4] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/21 Self-rectifying performance in the sandwiched structure of Ag/In-Ga-Zn-O/Pt bipolar resistive switching memory 期刊论文 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2014, 卷号: 9, 期号: 1, 页码: 548 作者:  Yan, Xiaobing[1];  Hao, Hua[2];  Chen, Yingfang[3];  Shi, Shoushan[4];  Zhang, Erpeng[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/21 Resistive switching  Self-rectifying  Schottky barrier