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一种电荷俘获存储器及其制备方法 专利
申请日期: 2015-01-01, 公开日期: 2015-09-30
作者:  闫小兵[1];  李玉成[2]
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一种避免误读的阻变存储器及其制备方法 专利
申请日期: 2015-01-01, 公开日期: 2015-07-29
作者:  闫小兵[1];  陈建辉[2];  陈英方[3]
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Highly Transparent Bipolar Resistive Switching Memory in Zr0.5Hf0.5O2 Films With Amorphous Semiconducting In-Ga-Zn-O as Electrode 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 卷号: 62, 期号: 10, 页码: 3244-3249
作者:  Yan, Xiaobing[1];  Zhang, Erpeng[2];  Hao, Hua[3];  Chen, Yingfang[4];  Bai, Gang[5]
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Cd-O共掺杂ZnTe第一性原理计算 期刊论文
材料科学与工程学报, 2015, 卷号: 33, 期号: 3, 页码: 405-409,447
作者:  李文明[1];  吴一[2];  刘晨吉[3];  郑树凯[4];  闫小兵[5]
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The flexoelectric effect associated size dependent pyroelectricity in solid dielectrics 期刊论文
AIP ADVANCES, 2015, 卷号: 5, 期号: 9
作者:  Bai, Gang[1];  Liu, Zhiguo[2];  Xie, Qiyun[3];  Guo, Yanyan[4];  Li, Wei[5]
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Resistive switching model change induced by electroforming in alpha-Fe2O3 films 期刊论文
PHYSICS LETTERS A, 2015, 卷号: 379, 期号: 38, 页码: 2392-2395
作者:  Yan, Xiaobing[1];  Li, Yucheng[2];  Zhao, Jianhui[3];  Xia, Yidong[4];  Zhang, Minglong[5]
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Electronic structure of Gd/N co-doped anatase TiO2 by first-principles calculations 期刊论文
CERAMICS INTERNATIONAL, 2015, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: 13861-13866
作者:  Zheng, S. K.[1];  Wu, Yi[2];  Zhang, Mingju[3];  Li, Wenming[4];  Yan, Xiaobing[5]
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RF磁控溅射沉积压强对InGaZnO4薄膜特性的影响 期刊论文
河北大学学报（自然科学版）, 2015, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 243-246,252
作者:  闫小兵[1];  史守山[2];  娄建忠[3];  郑树凯[4];  曹智[5]
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低限流下含Ag电极的BiFeO_3薄膜的阻变开关特性 期刊论文
人工晶体学报, 2015, 卷号: 44, 期号: 11, 页码: 3014-3018
作者:  闫小兵[1];  李玉成[2];  闫铭[3];  杨涛[4];  贾信磊[5]
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含Ag 电极的非晶In-Ga-Zn-O 薄膜的阻变开关特性 期刊论文
人工晶体学报, 2014, 卷号: 43, 期号: 4, 页码: 811-814,0819
作者:  娄建忠[1];  贾长江[2];  郝华[3];  张二鹏[4];  史守山[5]
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