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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：安徽大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Physical mechanism of resistance switching in the co-doped RRAM 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2017, 卷号: Vol.38 No.1, 页码: 014008 作者:  Chen,Junning;  Wang,Feifei;  Jiang,Xianwei;  Lu,Shibin;  Dai,Yuehua 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/04/22 ELECTROLYTE-BASED RERAM  CONDUCTIVE FILAMENTS  TI/HFO2 INTERFACE  MEMORY  OXIDE  PERFORMANCE  DEVICES   Research on c-HfO2 (001)/alpha-Al2O3 (1-102) interface in CTM devices based on first principle theory 期刊论文 AIP ADVANCES, 2017, 卷号: Vol.7 No.12 作者:  Ma, Chengzhi;  Wang, Feifei;  Jiang, Xianwei;  Lu, Wenjuan;  Zhang, Xu 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/24 Physical mechanism of resistance switching in the co-doped RRAM 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2017, 卷号: 第38卷, 页码: 104-109 作者:  Shibin Lu;  Junning Chen;  Yuehua Dai;  Feifei Wang;  Xianwei Jiang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/17 RRAM  resistive  switching  co-doped  conductive  path  physical  mechanism   Characterization of oxygen impurity in silicon nitride storage layer: A first-principles investigation 期刊论文 Physica Status Solidi, 2014, 卷号: Vol.251 No.6, 页码: 1212-1218 作者:  Qi Liu;  Hongpeng Zhao;  Huifang Xu;  Jing Luo;  Yuehua Dai 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22 charge  trapping  memory  first-principles  oxygen  silicon  nitride   A high PSRR, low temperature coefficient bandgap reference circuit for step-down DC-DC converters 期刊论文 ECS Transactions, 2012, 卷号: Vol.44 No.1, 页码: 159-164 作者:  Chen,Junning;  Jiang,Xianwei;  Dai,Yuehua;  Yang,Jin 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/22