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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：安徽大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 An improved parasitic resistance model of nano-scale MOSFET 期刊论文 2008 International Conference on Wireless Communications, Networking and Mobile Computing, WiCOM 2008, 2008 作者:  Chen,Jun-Ning;  Hao,Xu-Chun;  Sun,Jia-E;  Ke,Dao-Ming;  Dai,Yue-Hua 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/24 Correction in threshold voltage model accounting for quantum-effects in strong inversion channel 期刊论文 ICSICT-2006: 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Proceedings, 2007, 页码: 1330-1332 作者:  Yuan-Hu;  Chen,Jun-Ning;  Sun,Jia-E.;  Ke,Dao-Ming;  Dai,Yue-Hua 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/24 Effective mobility in nano-scaled n-MOSFETs 期刊论文 Conference Proceedings - IPEMC 2006: CES/IEEE 5th International Power Electronics and Motion Control Conference, 2007, 卷号: Vol.1, 页码: 199-203 作者:  Ke, Dao-Ming;  Sun, Jia-E.;  Chen, Jun-Ning;  Dai, Yue-Hua 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/24 Effective mobility in nano-scaled n-MOSFETs 期刊论文 IPEMC 2006: CES/IEEE 5TH INTERNATIONAL POWER ELECTRONICS AND MOTION CONTROL CONFERENCE, VOLS 1-3, CONFERENCE PROCEEDINGS, 2006, 页码: 199 作者:  Sun, Jia-E;  Ke, Dao-Ming;  Chen, Jun-Ning;  Dai, Yue-Hua 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/24 Boltzmann transport equation  modeling of carrier mobility  effective electrical field  2D Mosfet introduction   Effective Mobility in Nano-Scaled n-MOSFETs 会议论文 Shanghai 作者:  Jia-E Sun;  Yue-Hua Dai;  Dao-Ming Ke;  Jun-Ning Chen 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/04/19 Correction in Threshold Voltage Model Accounting for Quantum Effects in Strong Inversion Channel 会议论文 中国上海, 0000-00-00 00:00:00 作者:  Yuan-Hu;  Jia-E Sun;  Yue-Hua Dai;  Dao-Ming Ke;  Jun-Ning Chen 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/04/22 An Improved Parasitic Resistance Model of Nano-scale MOSFET 会议论文 大连, 0000-00-00 00:00:00 作者:  CHEN Jun-ning;  SUN Jia-e;  HAO Xu-chun;  KE Dao-ming;  DAI Yue-hua 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/22 nano-scale  MOSFET  parasitic  resistance  source/drain  eztension  region  technical  parameter