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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：安徽大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Reducing formation time of the inversion layer by illumination around a memory capacitor 期刊论文 ECS Transactions, 2012, 卷号: Vol.44 No.1, 页码: 1241-1245 作者:  Jin,Lin;  Yu,Zhaoan;  Liu,Ming;  Chen,Junning;  Zhang,Manhong 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/22 Analysis of cycling induced interface degradation in Si nanocrystal memory devices 期刊论文 ECS Transactions, 2012, 卷号: Vol.45 No.3, 页码: 311-316 作者:  Liu,Ming;  Chen,Junning;  Sun,Zhong;  Zhang,Manhong;  Jiang,Dandan 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/22 Cycling-Induced Peak-Like Interface State Generation in Si-Nanocrystal Memory Devices 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 卷号: Vol.33 No.12, 页码: 1705-1707 作者:  Jiang, Dandan;  Liu, Ming;  Sun, Zhong;  Wang, Yong;  Chen, Junning 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/24 Endurance  interface degradation  Pb center  silicon-nanocrystal memory   Performance improvement of Si-NC memory device by using a novel junction assisted programming scheme 期刊论文 ECS Transactions, 2011, 卷号: Vol.34 No.1, 页码: 149-153 作者:  Yu,Zhaoan;  Liu,Jing;  Liu,Ming;  Chen,Junning;  Zhang,Manhong 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/22