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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：上海大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 p-GaN Gate Enhancement-Mode HEMT Through a High Tolerance Self-Terminated Etching Process 期刊论文 IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2017, 卷号: 5, 页码: 340-346 作者:  Zhou, Yu[1];  Zhong, Yaozong[2];  Gao, Hongwei[3];  Dai, Shujun[4];  He, Junlei[5] 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/04/24 Enhancement-mode  HEMT  p-GaN gate  self-terminated etching   Self-terminated etching of GaN with a high selectivity over AlGaN under inductively coupled Cl-2/N-2/O-2 plasma with a low-energy ion bombardment 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017, 卷号: 420, 页码: 817-824 作者:  Zhong, Yaozong[1];  Yu Zhou[2];  Gao, Hongwei[3];  Dai, Shujun[4];  He, Junlei[5] 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/24 AlGaN/GaN  Etching self-termination  Enhancement-mode HEMT  TOF-SIMS  XPS