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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：上海大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electronic structure of molybdenum-involved amorphous silica buffer layer in MoOx/n-Si heterojunction 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019, 卷号: 473, 页码: 20-24 作者:  Chen, Dongyun[1];  Gao, Ming[2];  Wan, Yazhou[3];  Li, Yonghua[4];  Guo, Haibo[5] 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/04/22 Amorphous SiOx(Mo) layer  Density functional theory  Charge transition levels  Trap-assisted tunneling  Heterojunction solar cells   超薄SiO_x钝化层所导致的半导体-绝缘体-半导体异质结高频隧道电容溢出现象 期刊论文 科学通报, 2017, 页码: 3385-3391 作者:  李勇[1];  高明[2];  万亚州[3];  杜汇伟[4];  陈姝敏[5] 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/04/26 超薄钝化层  隧道CV  半导体-绝缘体-半导体  异质结  太阳电池   The high-frequency tunnel capacitance overload phenomenon of semiconductor-insulator-semiconductor heterojunction caused by the ultra-thin interfacial layers 期刊论文 Kexue Tongbao/Chinese Science Bulletin, 2017, 卷号: 62, 页码: 3385-3391 作者:  Li, Yong[1];  Gao, Ming[2];  Wan, Yazhou[3];  Du, Huiwei[4];  Chen, Shumin[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/24 超薄SiO_x钝化层所导致的半导体-绝缘体-半导体异质结高频隧道电容溢出现象 期刊论文 科学通报, 2017, 卷号: 62, 页码: 3385-3391 作者:  李勇[1];  高明[2];  万亚州[3];  杜汇伟[4];  陈姝敏[5] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/24 超薄钝化层  隧道CV  半导体-绝缘体-半导体  异质结  太阳电池   Questing and the application for silicon based ternary compound within ultra-thin layer of SIS intermediate region 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 卷号: 388, 页码: 57-63 作者:  Chen, Shumin[1];  Gao, Ming[2];  Wan, Yazhou[3];  Du, Huiwei[4];  Li, Yong[5] 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/04/26 XPS  Si based compound  Interface states  SIS device   Suboptimal power allocation for interference alignment based precoding for downlink multi-cell multi-user wireless systems 期刊论文 International Journal of Digital Content Technology and its Applications, 2012, 卷号: 6, 页码: 384-391 作者:  Yazhou, Zhu[1];  Rong, Hua[2];  Yinzhong, Ye[3] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/30