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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130037A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20 魏星; 王中党; 叶斐; 曹共柏; 林成鲁; 张苗; 王曦 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/01/06 一种氧离子注入制备绝缘体上硅材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101914758A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15 魏星; 王湘; 杨建; 张苗; 王曦; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2012/01/06 在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101908472A, 申请日期: 2010-12-08, 公开日期: 2010-12-08 魏星; 王湘; 张苗; 王曦; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/01/06 一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101901753A, 申请日期: 2010-12-01, 公开日期: 2010-12-01 魏星; 王湘; 杨建; 张苗; 王曦; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06 一种绝缘体上锗硅和应变硅材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101901780A, 申请日期: 2010-12-01, 公开日期: 2010-12-01 魏星; 王湘; 杨建; 张苗; 王曦; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/06 一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101901754A, 申请日期: 2010-12-01, 公开日期: 2010-12-01 魏星; 王湘; 李显元; 张苗; 王曦; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2012/01/06 采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101707188A, 申请日期: 2010-05-12, 公开日期: 2010-05-12 王曦; 魏星; 王湘; 李显元; 张苗; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/01/06 具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101692436A, 申请日期: 2010-04-07, 公开日期: 2010-04-07 魏星; 王湘; 李显元; 张苗; 王曦; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/01/06 混合晶向应变硅衬底及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101692440A, 申请日期: 2010-04-07, 公开日期: 2010-04-07 魏星; 王湘; 李显元; 张苗; 王曦; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/01/06 两步氧离子注入工艺制备SOI材料研究 期刊论文 科学通报, 2010, 期号: 19 魏星; 薛忠营; 武爱民; 王湘; 李显元; 叶斐; 陈杰; 陈猛; 张波; 林成鲁; 张苗; 王曦 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/01/06 相变存储器  驱动二极管  串扰电流  TCAD