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一种制备悬空应变材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101958238A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26
张苗; 张波; 王曦; 薛忠营; 魏星; 武爱民
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利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101958271A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26
张苗; 张波; 王曦; 薛忠营; 魏星; 武爱民
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一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101958270A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26
张苗; 张波; 王曦; 薛忠营; 魏星; 武爱民
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一种绝缘体上应变硅制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916741A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
张苗; 张波; 王曦; 薛忠营; 魏星; 武爱民
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两步氧离子注入工艺制备SOI材料研究 期刊论文
科学通报, 2010, 期号: 19
魏星; 薛忠营; 武爱民; 王湘; 李显元; 叶斐; 陈杰; 陈猛; 张波; 林成鲁; 张苗; 王曦
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图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究 期刊论文
功能材料, 2010, 期号: 07
张波; 陈静; 魏星; 武爱民; 薛忠营; 罗杰馨; 王曦; 张苗
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