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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Novel GAA Si Nanowire p-MOSFETs With Excellent Short-Channel Effect Immunity via an Advanced Forming Process 期刊论文 IEEE Electron Device Letters, 2018 作者:  Zhang QZ(张青竹);  Yin HX(殷华湘);  Meng LK(孟令款);  Yao JX(姚佳欣);  Li JJ(李俊杰) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/05 Complementary Metal Oxide Semiconductor 专著 :IntechOpen, 2018 作者:  Yin HX(殷华湘);  Wang GL(王桂磊);  Yao JX(姚佳欣);  Henry Homayoun Radamson 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/23 Study of sigma-shaped source/drain recesses for embedded-SiGe pMOSFETs 期刊论文 Microelectronic Engineering, 2017 作者:  Zhu HL(朱慧珑);  Xu QX(徐秋霞);  Li JF(李俊峰);  Zhao C(赵超);  Henry Homayoun Radamson 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2018/07/09 Improved Operation Characteristics for Nonvolatile Charge-Trapping Memory Capacitors with High-Dielectrics and SiGe Epitaxial Substrates 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2017 作者:  Zhang QZ(张青竹);  Wu ZH(吴振华);  Yin HX(殷华湘);  Wang GL(王桂磊);  Hou CZ(侯朝昭) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/07/05 pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2017 作者:  Zhao C(赵超);  Wang GL(王桂磊);  Luo J(罗军);  Liu JB(刘金彪);  Yang T(杨涛) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/07/05 Integration of Highly Strained SiGe in Source and Drain with HK and MG for 22 nm Bulk PMOS Transistors 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2017 作者:  Wang GL(王桂磊);  Ye TC(叶甜春);  Henry Homayoun Radamson;  Zhao C(赵超);  Zhu HL(朱慧珑) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/07/05 Optimization of Selective Growth of SiGe for Source/Drain in 14nm and Beyond Nodes FinFETs 期刊论文 International Journal of High Speed Electronics and Systems, 2017 作者:  Henry Homayoun Radamson;  Zhu HL(朱慧珑);  Yin HX(殷华湘);  Qin ZL(秦长亮);  Luo J(罗军) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/07/05 FOI FinFET with Ultra-low Parasitic Resistance Enabled by Fully Metallic Source and Drain Formation on Isolated Bulk-Fin 会议论文 作者:  Wu ZH(吴振华);  Luo J(罗军);  Meng LK(孟令款);  Zhang QZ(张青竹);  Li YD(李昱东) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2017/05/19 Integration of Selective Epitaxial Growth of SiGe/Ge layers in 14nm Node FinFETs 期刊论文 ECS Transactions, 2016 作者:  Yin HX(殷华湘);  Wang GL(王桂磊);  Luo J(罗军);  Qin ZL(秦长亮);  Cui HS(崔虎山) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/05/09 Impact of pattern dependency of SiGe layers grown selectively in source/drain on the performance of 22nm node pMOSFETs 期刊论文 Solid-State Electronics, 2015 作者:  Li JF(李俊峰);  Wang GL(王桂磊);  Xu YF(徐烨峰);  Luo J(罗军);  Guo YL(郭奕栾) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/05/31