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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 考虑载流子速度和耗尽层宽度随电压变化的VBIC模型 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 5，2270-2274 作者:  葛霁;  金智;  刘新宇;  程伟;  王显泰 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/05/27 载流子速度  耗尽层宽度  集电区渡越时间  Vbic模型   一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 5，1799-1803 作者:  葛霁;  金智;  刘新宇;  程伟;  王显泰 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/27 碰撞电离  温度依赖  超高速inp基shbt  Sdd模型   基于InGaP／GaAs HBT的X波段MMIC功率放大器研制 期刊论文 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 5, 页码: 4,759_762 作者:  陈延湖;  葛霁;  李滨;  刘新宇;  吴德馨 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/26 Hbt   HB T自热效应对功率放大器偏置电路的影响及补偿 期刊论文 电 子 器 件, 2007, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 4，829_832 作者:  王显泰;  葛霁;  吴德馨;  刘新宇;  陈延湖 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/26 自热效应   发射极空气桥 InGaP／GaAsHBT的DC和RF特性分析 期刊论文 电 子 器 件, 2007, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 4,1_4 作者:  吴德馨;  申华军;  葛霁;  杨威;  陈延湖 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/05/26 Ingap／gaas发射极空气桥互连   具有在片稳定网络的GaAs HBT微波功率管 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 12, 页码: 2075-2079 作者:  刘新宇;  陈延湖;  申华军;  王显泰;  葛霁 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/26 Hbt  微波功率管  稳定性   GaAsMMIC用无源元件的模型 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1872-1879 作者:  刘新宇;  吴德馨;  王显泰;  葛霁;  杨威 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/05/26 Mmic  矩形螺旋电感  Mim电容  薄膜电阻  多项式拟合公式   C波段3．5W／mm，PAE〉40％的InGaP／GaAs HBT功率管 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1612-1615 作者:  严北平;  吴德馨;  申华军;  陈延湖;  葛霁 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/26 Ingap／gaas  异质结双极晶体管  功率管