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| 重离子辐照对CMOS器件栅介质可靠性的影响研究 会议论文
作者: 崔江维; 郑齐文; 刘梦新; 卜建辉; 余学峰
  收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/05/13 |
| Reliability of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes Under High Temperature Power Cycling Stress 会议论文
作者: Tang YD(汤益丹) ; Liu XY(刘新宇); Wang G(王刚); Luo YF(罗亚非); Bai Y(白云)
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2019/05/14 |
| Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs ChannelnMOSFETs with InGaP Barrier Layer and Al2O3 Dielectric 期刊论文
Chin. Phys. Lett., 2017
作者: Liu HG(刘洪刚); Wang SK(王盛凯); Ma L(马磊); Chang HD(常虎东); Sun B(孙兵)
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2018/05/15 |
| 一种板级系统局部芯片辐照装置 专利
专利号: CN201520435645.8, 申请日期: 2016-06-15,
作者: 高博; 刘刚; 罗家俊; 赵发展; 刘梦新
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2017/06/01 |
| 一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构 专利
专利号: CN201110007880.1, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2012-07-18
作者: 刘刚; 刘梦新; 毕津顺; 罗家俊; 韩郑生
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2016/04/01 |
| 高频频率源装置 专利
专利号: CN201010544425.0, 申请日期: 2014-01-15, 公开日期: 2012-05-23
作者: 王显泰; 吴旦昱; 刘洪刚; 刘新宇
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2015/05/14 |
| 一种硅基光电异质集成中的多量子阱混杂能带方法 专利
专利号: CN201010574100.7, 申请日期: 2014-01-08, 公开日期: 2012-06-06
作者: 吴德馨; 申华军; 刘洪刚; 刘焕明; 杨成樾
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2015/05/14 |
| 一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管 专利
专利号: CN201010531161.5, 申请日期: 2013-08-28, 公开日期: 2012-05-23
作者: 罗家俊; 韩郑生; 刘刚; 赵发展; 刘梦新
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2016/09/29 |
| 半导体纳米结构和制造方法及其应用 专利
专利号: CN200910312160.9, 申请日期: 2013-05-22, 公开日期: 2011-06-29
作者: 刘新宇; 吴德馨; 刘洪刚
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2016/10/12 |
| 高迁移率Ⅲ-Ⅴ族半导体MOS界面结构 专利
专利号: CN201010118896.5, 申请日期: 2013-05-01, 公开日期: 2011-09-21
作者: 刘新宇; 刘洪刚; 吴德馨; 常虎东
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2016/10/12 |
