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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较 期刊论文 原子能科学技术, 2022, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 767-774 作者:  冯皓楠1,2,3;  杨圣1,2,3;  梁晓雯1,2,3;  张丹1,2,3;  蒲晓娟1,2,3 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2022/05/06 碳化硅  总剂量效应  静态参数  动态特性  耗尽层