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Interface Si donor control to improve dynamic performance of AlGaN/GaN MIS-HEMTs 期刊论文
AIP ADVANCES, 2017
作者:  Song, L;  Fu, K（付凯）;  Zhang, ZL（张志利）;  Sun, SC;  Li, WY
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High-resistivity unintentionally carbon-doped GaN layers with nitrogen as nucleation layer carrier gas grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文
AIP ADVANCES, 2017
作者:  Chen, F;  Sun, SC;  Deng, XG（邓旭光）;  Fu, K（付凯）;  Yu, GH（于国浩）
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/02/05
Layer-by-layer assembled PMMA-SH/CdSe-Au nanocomposite thin films and the optical limiting property 期刊论文
RSC ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 30
作者:  Jin, F;  Zheng, ML;  Liu, ZH(刘争晖);  Fan, YM;  Xu, K(徐科)
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11
Influence of the TMAl source flow rate of the high temperature AlN buffer on the properties of GaN grown on Si(111) substrate 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 671
作者:  Wang, K;  Xing, YH;  Han, J;  Zhao, KK;  Guo, LJ
收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2017/03/11
Fabrication of normally-off AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors by photo-electrochemical gate recess etching in ionic liquid 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 8
作者:  Zhang, ZL(张志利);  Qin, SJ(秦双娇);  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Li, WY
收藏  |  浏览/下载：78/0  |  提交时间：2017/03/11
Growths of Fe-doped GaN high-resistivity buffer layers for AlGaN/GaN high electron mobility transistor devices 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 1
作者:  Wang, K;  Xing, YH;  Han, J;  Zhao, KK;  Guo, LJ
收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2017/03/11
Studies on High-Voltage GaN-on-Si MIS-HEMTs Using LPCVD Si3N4 as Gate Dielectric and Passivation Layer 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2
作者:  Zhang, ZL(张志利);  Yu, GH(于国浩);  Zhang, XD(张晓东);  Deng, XG(邓旭光);  Li, SM(李水明)
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Normally Off AlGaN/GaN MIS-High-Electron Mobility Transistors Fabricated by Using Low Pressure Chemical Vapor Deposition Si3N4 Gate Dielectric and Standard Fluorine Ion Implantation 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 11, 页码: 4
作者:  Zhang, ZL(张志利);  Fu, K(付凯);  Deng, XG(邓旭光);  Zhang, XD(张晓东);  Fan, YM(范亚明)
收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2015/12/31
Surface acoustic waves in semi-insulating Fe-doped GaN films grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 105, 期号: 6
作者:  Zhang YM(张育民);  Fan YM(樊英民);  Xu GZ(徐耿钊);  Xu K(徐科);  Zhong HJ(钟海舰)
收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2014/11/27
Graphene in ohmic contact for both n-GaN and p-GaN 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 104, 期号: 21
作者:  Zhong HJ(钟海舰);  Huang ZL(黄增立);  Xu K(徐科);  Shi L(石林);  Wang JF(王建峰)
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