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兰州大学 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
1989 [1]
1988 [1]
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沉积条件对GD′a-SiN_x:H;a-Si:H及a-Si:H_a-SiN_x:H多层膜某些性质的影响
期刊论文
真空科学与技术, 1989, 期号: 1, 页码: 47-50
作者:
廖克俊
;
王万录
;
马世隆
;
李顺文
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/04/27
非晶态:6483
光吸收特性:3660
高频放电:3245
生长速率:2929
广泛研究:2488
不同条件:2272
阴极:2034
阳极:1973
多层膜:1746
辉光放电:1734
非晶态半导体多层膜a-Si:H_a-SiN_x:H结构在低温下的PPC效应研究
期刊论文
半导体技术, 1988, 期号: 5, 页码: 18-21
作者:
王万录
;
廖克俊
;
马世隆
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提交时间:2015/04/27
非晶态半导体:7698
多层膜:5911
PPC效应:1864
曝光时间:1401
外加偏压:398
光电导效应:297
a-Si:211
陷阱效应:204
光生电子:124
外加电场:87
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