×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
兰州大学 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2014 [1]
2009 [1]
1997 [3]
1996 [3]
1995 [1]
学科主题
708 Electr... [1]
712.1 Semi... [1]
712.1.2 Co... [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
限定条件
专题:兰州大学
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
β受体阻滞剂治疗婴幼儿血管瘤有效率和安全性的系统评价和Meta 分析
期刊论文
中国循证儿科杂志, 2014, 卷号: 9, 期号: 6, 页码: 416-422
作者:
魏丰贤
;
阎于珂
;
魏振刚
;
第伍丹琲
;
倪倩
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2016/09/14
β受体阻滞剂
普萘洛尔
噻吗洛尔
婴幼儿血管瘤
多次移植骨髓基质干细胞有利于脊髓损伤修复
期刊论文
中国矫形外科杂志, 2009, 期号: 22, 页码: 1725-1728
作者:
李辉映
;
文益民
;
陈克明
;
蓝旭
;
汪大彬
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2016/09/13
脊髓损伤
骨髓间充质干细胞
移植
蛛网膜下腔
定向局部异质外延生长的p型金刚石膜压阻效应的研究
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 1997, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 474-477+482
作者:
王万录
;
张振刚
;
廖克俊
;
吴彬
;
张世斌
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/04/27
金刚石膜:8313
压阻效应:4187
外延生长:2345
压阻因子:2153
金刚石薄膜:1346
单晶金刚石:620
晶粒间界:572
硼掺杂:505
p型:473
不锈钢片:461
Localized heteroepitaxial growth
p type diamond film
光照对金刚石薄膜压阻效应的影响
期刊论文
甘肃科学学报, 1997, 期号: 1, 页码: 4
作者:
王万录
;
廖克俊
;
张振刚
;
吴彬
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/04/27
金刚石薄膜
压阻效应
光照
退火处理对透明导电CdIn↓2O↓4薄膜光学、电学性质及其能带结构的影响
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 1997, 卷号: 18, 期号: 2, 页码: 151-155
作者:
吴彬
;
王万录
;
廖克俊
;
张振刚
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/04/27
CdIn_2O_4薄膜:5220
退火处理:4487
能带结构:4002
载流子浓度:3729
电学性质:2868
透明导电:2129
氧空位:1901
折射率:1485
氧浓度:1480
消光系数:1376
Sputtering technique
Transparent conductive film
射频反应溅射CdIn↓2O↓4膜制备过程中氧浓度对光学性质的影响
期刊论文
太阳能学报/Taiyangneng Xuebao/Acta Energiae Solaris Sinica, 1996, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 380-383
作者:
吴彬
;
王万录
;
廖克俊
;
陈长勇
;
王宏
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/04/27
光透射谱
CdIn_2O_4薄膜
射频反应溅射
折射率
消光系数
Extinction coefficient
Oxygen concentration
热灯丝CVD金刚石膜硼掺杂效应研究
期刊论文
物理学报, 1996, 期号: 10, 页码: 6
作者:
廖克俊
;
王万录
;
张振刚
;
吴彬
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/04/27
CVD金刚石膜:8717
硼掺杂:3133
硼浓度:2834
热灯丝:1670
天然金刚石:925
激活能:854
特征峰:717
电阻率:687
内应力:677
电子器件:570
偏压对金刚石膜成核过程的影响
期刊论文
科学通报, 1996, 期号: 10, 页码: 894-896
作者:
王万录
;
廖克俊
;
张振刚
;
陈长勇
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/04/27
金刚石膜
热灯丝CVD
成核过程
直流等离子体CVD金刚石膜的阴极发光性质的研究
期刊论文
无机材料学报, 1995, 期号: 2, 页码: 6
作者:
张振刚
;
廖克俊
;
王万录
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/04/27
金刚石薄膜
阴极发光光谱
直流等离子体CVD
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace