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科研机构
兰州大学 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2012 [1]
2009 [1]
2008 [1]
1996 [1]
1995 [1]
1994 [2]
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新型光存储材料Sr_2SnO_4:Tb~(3+),Li~+的合成及其红外上转换光激励发光性能的研究
期刊论文
物理学报, 2012, 期号: 9, 页码: 466-469
作者:
秦青松
;
马新龙
;
邵宇
;
杨星瑜
;
盛鸿飞
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/04/27
Sr_2SnO_4
Tb~(3+)
Li~+
光激励发光
光存储
掺杂VO_2薄膜的制备及其光电性质
期刊论文
半导体技术, 2009, 期号: 2, 页码: 165-167+188
作者:
杨子健
;
杨爱国
;
杨建红
;
冯浩
;
李冠斌
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/04/27
二氧化钒薄膜
磁控共溅射
掺杂
光电特性
能带
掺杂氧化钒薄膜的制备及其热光特性
期刊论文
半导体光电/Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics, 2008, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 200-202+207
作者:
杨爱国
;
杨子健
;
杨建红
;
冯浩
;
李冠斌
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浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/04/27
氧化钒薄膜
磁控溅射
掺钛
掺铝
X射线双晶衍射研究LP-MOVPE生长的InGaAs_GaAs应变超晶格
期刊论文
兰州大学学报, 1996, 期号: 3, 页码: 4
作者:
崔敬忠
;
陈光华
;
甘润今
;
张仿清
;
杨树人
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/04/27
气相外延生长
超晶格半导体
X射线衍射
LP-MOCVD生长InAlAs量子阱结构材料
期刊论文
兰州大学学报, 1995, 期号: 1, 页码: 2
作者:
崔敬忠
;
甘润今
;
陈光华
;
张仿清
;
杨树人
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/04/27
量子阱:7941
MOCVD生长:3790
InAlAs:2799
结构材料:2242
光荧光谱:1975
集成光电子学:1462
低温光荧光:1251
外延层:902
摩尔流量:805
缓冲层:787
LP─MOCVD生长InGaAs_GaAs应变超晶格
期刊论文
兰州大学学报, 1994, 期号: 3, 页码: 2
作者:
崔敬忠
;
陈光华
;
张仿清
;
甘润今
;
杨树人
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2015/04/27
InGaAs/GaAs:6545
应变超晶格:5446
MOCVD生长:3858
结构参数:1732
卫星峰:1651
X射线:1561
摇摆曲线:1415
生长条件:997
光电子:866
能带结构:824
LP-MOVPE生长InGaAs应变超晶格
期刊论文
吉林大学自然科学学报, 1994, 期号: 1, 页码: 4
作者:
杨树人
;
刘宝林
;
陈伯军
;
刘式墉
;
崔敬忠
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/04/27
LP-MOVPE
InGaAs
应变超晶格
大脑皮质与疼痛调控
期刊论文
兰州医学院学报, 1993, 期号: 1, 页码: 59-60+49
作者:
杨金山
;
宫敬忠
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2016/09/06
大脑皮质
旧皮质
伤害性信息
中缝大核
核团
束旁核
前额皮质
海马回
针刺穴位
中央外侧核
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