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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：兰州大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 基于生态足迹模型的舟曲县生态承载力空间差异 期刊论文 兰州大学学报(自然科学版), 2014, 卷号: 50, 期号: 5, 页码: 687-691 作者:  汪霞;  张洋洋;  怡欣;  王思源;  庆丰 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2016/08/08 生态足迹模型  生态承载力  生态赤字  空间差异   基于高分遥感数据校正的MODIS草地生物量监测模型精度评价 期刊论文 草地学报, 2014, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 706-712 作者:  胡远宁;  冯琦胜;  陈思宇;  修丽娜;  梁天刚 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/08/17 MOD09GA  RapidEye  WorldView-2  NDVI  相关性  生物量   用SIPOS-SiO_2复合层对4H-SiCn~+pp~+结构钝化的分析 期刊论文 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 686-690 作者:  姜岩峰;  李思渊;  刘肃;  曹磊;  薄建军 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/04/27 SiC  钝化层  Passivation layer  Thermal oxidation   SITH负阻转折特性的分析模型 期刊论文 半导体技术, 2000, 期号: 2, 页码: 20-22+31 作者:  姜岩峰;  李思渊;  刘肃 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/04/27 SITH  负阻转折特性   静电感应晶闸管的工艺控制和参数调节 期刊论文 半导体技术, 2000, 期号: 1, 页码: 3 作者:  孟雄晖;  李思渊;  姜岩峰 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/04/27 静电感应晶闸管  耐压容量  阻断增益  通态压降   静电感应晶闸管（SITH）的工艺控制和参数调节 期刊论文 兰州大学学报, 1999, 期号: 2, 页码: 4 作者:  孟雄晖;  李思渊;  姜岩峰 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/04/27 SITH  耐压容量  阻断增益  通态压降   静电感应晶体管高频功率参数的控制 期刊论文 半导体技术, 1999, 期号: 3, 页码: 5 作者:  孟雄晖;  李思渊;  姜岩峰 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/04/27 SIT  高频  功率增益  封装   双极型静电感应晶体管开关时间的测量与分析 期刊论文 半导体技术, 1998, 期号: 5, 页码: 4 作者:  姜岩峰;  李思渊;  李海蓉;  刘肃 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/04/27 BSIT  开关时间  势垒  复合  结构因子  材料因子   双极型D触发器成品率试验报告 期刊论文 半导体技术, 1978, 期号: 5, 页码: 20-30 作者:  李思渊;  何山虎;  陈次珀;  赵全喜;  强小凤 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 成品率:6186  管芯:3683  压焊:2870  D触发器:2692  钻蚀:2586  氧化层:2446  铝层:2263  双极型:2246  芯片:2233  结特性:2198