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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：重庆大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Realizing high breakdown voltage for a novel interface charges islands structure based on partial-SOI substrate 期刊论文 2012, 卷号: 52, 页码: 692-697 作者:  Hu, Shengdong[1,2];  Luo, Jun[2];  Tan, Kaizhou[2];  Zhang, Ling[1];  Li, Zhaoji[3] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/28 A novel analytical model of the vertical breakdown voltage on impurity concentration in top silicon layer for SOI high voltage devices 期刊论文 2011, 卷号: 98, 页码: 973-980 作者:  Hu, Shengdong[1,2];  Zhang, Bo[2];  Li, Zhaoji[2] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/28 Complementary charge islands structure for a high voltage device of partial-SOI 期刊论文 2011, 卷号: 32 作者:  Wu, Lijuan[1,2];  Hu, Shengdong[1,3];  Zhang, Bo[1];  Li, Zhaoji[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/11/30