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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：重庆大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Metal-Insulator Transition of Ge-Sb-Te Superlattice: An Electron Counting Model Study 期刊论文 2018, 卷号: 17, 页码: 140-146 作者:  Chen, Nian-Ke[1];  Li, Xian-Bin[1];  Wang, Xue-Peng[1];  Xie, Sheng-Yi[2];  Tian, Wei Quan[3] 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/30 Strong electron-polarized atom chain in amorphous phase-change memory Ge-Sb-Te alloy 期刊论文 2018, 卷号: 143, 页码: 102-106 作者:  Chen, Nian-Ke[1];  Li, Xian-Bin[1,3];  Wang, Xue-Peng[1];  Tian, Wei Quan[2];  Zhang, Shengbai[1,3] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/30 Strong electron-polarized atom chain in amorphous phase-change memory Ge[sbnd]Sb[sbnd]Te alloy 期刊论文 2018, 卷号: 143, 页码: 102-106 作者:  Chen, Nian-Ke[1];  Li, Xian-Bin[1,3];  Wang, Xue-Peng[1];  Tian, Wei Quan[2];  Zhang, Shengbai[1,3] 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/11/30 Erratum to: Metal-insulator transition of Ge-Sb-Te superlattice: An electron counting model study ( IEEE Transactions on Nanotechnology (2018) 17:1 (140-146) DOI: 10.1109/TNANO.2017.2779579) 期刊论文 2018, 卷号: 17, 页码: 614-614 作者:  Chen, Nian-Ke[1];  Li, Xian-Bin[1];  Wang, Xue-Peng[1];  Xie, Sheng-Yi[2];  Tian, Wei Quan[3] 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/11/30 Metal-Insulator Transition of Ge-Sb-Te Superlattice: An Electron Counting Model Study (vol 17, pg 140, 2018) 期刊论文 2018, 卷号: 17, 页码: 614-614 作者:  Chen, Nian-Ke[1];  Li, Xian-Bin[1];  Wang, Xue-Peng[1];  Xie, Sheng-Yi[2];  Tian, Wei Quan[3] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/30 Possible n/p-type conductivity of two-dimensional graphene oxide by boron and nitrogen doping: Evaluated via constrained excitation 期刊论文 2016, 卷号: 109 作者:  Wang, Dan[1];  Han, Dong[2];  Li, Xian-Bin[1];  Xie, Sheng-Yi[1];  Chen, Nian-Ke[1] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/30