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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Analytical subthreshold current modeling of nanoscale ultra-thin body ultra-thin box SOI MOSFETs with a vertical gaussian doping profile 会议论文 作者:  Wei, Sufen;  Zhang, Guohe;  Huang, Huixiang;  Liu, Jing;  Shao, Zhibiao 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/19 Modeling a Si homojunction SOI-Tunnel FET with configurable voltage difference on gates 会议论文 作者:  Wei, Sufen;  Zhang, Guohe;  Liu, Jing;  Huang, Huixiang;  Geng, Li 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/11/26 Band to band tunneling  Channel region  N type silicon  Potential barriers  Silicon on insulator (SOI)  Technology computer aided design  Tunnel FET (TFET)  Voltage difference   A compact subthreshold swing model of ultra-Thin body ultra-Thin box SOI MOSFETs with Gaussian doping profile 会议论文 作者:  Wei, Sufen;  Zhang, Guohe;  Liu, Jing;  Huang, Huixiang;  Geng, Li 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/11/26 Charge centroid  Gaussian doping  Gaussian Doping Profiles  Non-uniform doping  Silicon on insulator (SOI)  Subthreshold swing  Technology computer aided design  Two Dimensional (2 D)   Analytic modeling of potential and threshold voltage for short-channel thin-body fully depleted silicon-on-insulator MOSFETs with a vertical Gaussian doping profile 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 55, 期号: [db:dc_citation_issue] 作者:  Wei, Sufen;  Zhang, Guohe;  Shao, Zhibiao;  Huang, Huixiang;  Geng, Li 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/02