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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 An Effective Method to Compensate Total Ionizing Dose-Induced Degradation on Double-SOI Structure 会议论文 作者:  Huang, Yang;  Li, Binhong;  Zhao, Xing;  Zheng, Zhongshan;  Gao, Jiantou 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/11/26 Coupling effect  double SOI (DSOI)  negative back-gate bias  total ionizing dose (TID)   一种多用途诱导电导率测量用电极 专利 申请日期: 2012-07-04, 作者:  郑晓泉;  智生龙;  南江;  韩鹏凯 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/10 Experimental study on heavy ion single event effects in SOI SRAMs 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2009, 卷号: 267, 期号: 1, 页码: 83-86 作者:  Li Yonghong;  He Chaohui;  Zhao Fazhan;  Guo Tianlei;  Liu Gang 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/18 SOI SRAM  Single event upset rate  Single event upset   重组人截短型IL-6表达载体的构建及表达 期刊论文 西北大学学报(自然科学版), 2001, 期号: 2, 页码: 149-152 作者:  孔令洪;  王一理;  韩俊宏;  郑瑾;  齐旭 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/07 大肠杆菌  截短型人IL-6  原核表达   低温射频氧等离子体氧化SIO_2/SI界面陷阱的DLTS研究 期刊论文 西安交通大学学报, 1993, 期号: 5, 页码: 13-20 作者:  梁振宪;  韩郑生;  罗晋生;  汪立椿 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/07 热退火  界面陷阱  DLTS测量  RF氧等离子体氧化   DLTS investigation of interface traps in low temperature RF oxygen plasma grown SiO2/Si structure 期刊论文 Hsi-An Chiao Tung Ta Hsueh/Journal of Xi'an Jiaotong University, 1993, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: 9-16 作者:  Liang, Zhenxian;  Han, Zhengsheng;  Wang, Lizhun;  Luo, Jinsheng 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/07