CORC

浏览/检索结果: 共42条,第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
Analysis of polymorphisms in genes associated with the FA/BRCA pathway in three patients with multiple primary malignant neoplasms 期刊论文
ARTIFICIAL CELLS NANOMEDICINE AND BIOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: 47, 页码: 1101-1112
作者:  Wang, Le;  Wang, Hao;  Wang, Ting;  Liu, Jinhui;  Chen, Wei
收藏  |  浏览/下载:47/0  |  提交时间:2019/11/19
一种小型快速充放电双向反激电路 无文献类型
作者:  王来利;  陈阳;  田莫帆;  卢晓辉;  金久洋
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2019/11/19
一种带浮空区的低导通电阻碳化硅IGBT器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-23,
作者:  张安平;  田凯;  祁金伟;  杨明超;  陈家玉
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/11/26
一种低导通电阻、小栅电荷的双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-23,
作者:  张安平;  田凯;  祁金伟;  杨明超;  陈家玉
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/11/26
一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅超结MOSFET器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-23,
作者:  张安平;  田凯;  祁金伟;  杨明超;  陈家玉
收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/11/26
一种带浮空区的低导通电阻碳化硅超结MOSFET器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-23,
作者:  张安平;  田凯;  祁金伟;  杨明超;  陈家玉
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/11/26
一种带浮空区的低导通电阻双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-23,
作者:  张安平;  田凯;  祁金伟;  杨明超;  陈家玉
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2019/11/26
一种双沟槽的低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-02,
作者:  张安平;  田凯;  祁金伟;  杨明超;  陈家玉
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/11/26
一种双沟槽的带浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-02,
作者:  张安平;  田凯;  祁金伟;  杨明超;  陈家玉
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/11/26
一种含内置浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-01-23,
作者:  张安平;  田凯;  祁金伟;  杨明超;  陈家玉
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/11/26


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace