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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Buffer influence on AlSb/InAs/AlSb quantum wells 外文期刊 2007 作者:  Li, ZH;  Wang, WX;  Liu, LS;  Gao, HC;  Jiang, ZW 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 X-ray-diffraction  Inas  Alsb  Heterostructures  Relaxation  Densities  Devices   Growth and characterization of 0.8-mu m gate length AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrates 外文期刊 2005 作者:  Wang, XL;  Wang, CM;  Hu, GX;  Wang, JX;  Ran, JX 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26 Field-effect Transistors  Surface Passivation