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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Low-cost and highly manufacturable strained-Si channel technique for strong hole mobility enhancement on 35-nm gate length pMOSFETs 外文期刊 2007 作者:  Xu, QX;  Duan, XF;  Liu, HH;  Han, ZS;  Ye, TC 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26 Hole mobility enhancement of pMOSFETs with strain channel induced by ge pre-amorphization implantation for source/drain extension 外文期刊 2006 作者:  Xu, QX;  Duan, XF;  Qian, H;  Liu, HH;  Li, HO 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26