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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：其他    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Deep understanding of random telegraph noise (RTN) effects on SRAM stability 其他 2016-01-01 Mao, Dongyuan; Guo, Shaofeng; Wang, Runsheng; Luo, Mulong; Huang, Ru 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03 Impacts of Metastable Defect States on Gate Oxide Trapping in Nanoscale MOS Devices 其他 2016-01-01 Mao, Dongyuan; Guo, Shaofeng; Wang, Runsheng; Huang, Ru; Liu, Changze 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2017/12/03 Deep Understanding of Random Telegraph Noise (RTN) Effects on SRAM Stability 其他 2016-01-01 Mao, Dongyuan; Guo, Shaofeng; Wang, Runsheng; Luo, Mulong; Huang, Ru 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03 On the Frequency Dependence of Oxide Trap Coupling in Nanoscale MOSFETs: Understanding based on Complete 4-State Trap Model 其他 2016-01-01 Peng Hao; Dongyuan Mao; Runsheng Wang; Shaofeng Guo; Pengpeng Ren; Ru Huang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 Trap  explanation  interpretation  verified  switching  discharged  thoroughly  capture  tendency  metastable  Trap  explanation  interpretation  verified  switching  discharged  thoroughly  capture  tendency  metastable   On the origin of frequency dependence of single-trap induced degradation in AC NBTI 其他 2015-01-01 Mao, Dongyuan; Guo, Shaofeng; Wang, Runsheng; Liu, Changze; Huang, Ru 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/12/03 On the Origin of Frequency Dependence of Single-Trap Induced Degradation in AC NBTI 其他 2015-01-01 Mao, Dongyuan; Guo, Shaofeng; Wang, Runsheng; Liu, Changze; Huang, Ru 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/12/03