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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 内容类型：会议     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structural Design, Layout Analysis and Routing Strategy for Constructing IC Standard Cells Using Emerging 3D Vertical MOSFETs (CPCI-S收录) 会议 作者:  Liu, Hongyi[1];  Hong, Chuyang[1];  Han, Ting[1];  Zhou, Jun[1];  Chen, Yijian[1] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/11 standard cell layout  vertical gate-all-around (GAA) nanowire MOSFET  double-surrounding-gate (DSG) MOSFET  routing  self-aligned multiple patterning   Impacts of Process Variability of Alternating-Material Self-Aligned Multiple Patterning on SRAM Circuit Performance (CPCI-S收录) 会议 作者:  Han, Ting[1];  Hong, Chuyang[1];  Cheng, Qi[1];  Chen, Yijian[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/11 SRAM  circuit variability  static noise margin (SNM)  alternating-material (dual-material) self-aligned multiple patterning (altSAMP)  edge-placement errors (EPE)