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兰州大学 [1]
微电子研究所 [1]
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会议论文 [2]
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2018 [1]
2002 [1]
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Radiation and Annealing Characteristics of Interface traps in SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique
会议论文
作者:
Li YY(李洋洋)
;
Li XJ(李晓静)
;
Li B(李博)
;
Gao LC(高林春)
;
Yan WW(闫薇薇)
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提交时间:2019/05/09
蓝宝石(0001)衬底上p-3C-SiC欧姆接触的研究
会议论文
2002年材料科学与工程新进展(下)——2002年中国材料研讨会
作者:
孙艳玲
;
孙国胜
;
刘肃
;
王雷
;
赵万顺
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2015/06/24
p-3C-SiC
欧姆接触
特征电阻
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