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苏州纳米技术与纳米... [11]
武汉大学 [1]
内容类型
会议论文 [12]
发表日期
2015 [1]
2013 [2]
2012 [7]
2011 [1]
2009 [1]
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Illustration of high-active Ag2CrO4 photocatalyst from the first-principle calculation of electronic structures and carrier effective mass
会议论文
作者:
Zhang, Jinfeng
;
Yu, Weilai
;
Liu, Jianjun
;
Liu, Baoshun
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/05
Effective mass
Ag2CrO4
Density functional theory
Terahertz filters based on frequency selective surfaces for high-speed terahertz switch
会议论文
5th International Symposium on Photoelectronic Detection and Imaging (ISPDI) - Terahertz Technologies and Applications, Beijing, PEOPLES R CHINA, JUN 25-27, 2013
作者:
Lu, SL(陆书龙)
;
Zhang, ZP(张志鹏)
;
Sun, JD(孙建东)
;
Li, XX(李欣幸)
;
Qin, H(秦华)
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2014/01/15
2D plasmons
Terahertz time-domain spectroscopy
Fabry-Perot cavity
GaN/AlGaN heterostructure
Terahertz plasmon polariton formed in a Fabry-Perot cavity and a grating-coupled two-dimensional electron gas
会议论文
5th International Symposium on Photoelectronic Detection and Imaging (ISPDI) - Terahertz Technologies and Applications, Beijing, PEOPLES R CHINA, JUN 25-27, 2013
作者:
Huang, YD(黄永丹)
;
Zhang, BS(张宝顺)
;
Qin, H(秦华)
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2014/01/15
2D plasmons
Fabry-Perot cavity
Terahertz time-domain spectroscopy
GaN/AlGaN heterostructure
超大功率蓝光LED热性能分析
会议论文
2012年全国半导体器件技术、产业发展研讨会, 西宁, 2012-7-25
作者:
张宝顺
;
黄伟
;
蔡勇
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2013/01/22
关态耐压1000V的AlGaN/GaN HEMT器件
会议论文
2012年全国半导体器件技术、产业发展研讨会, 西宁, 2012-7-25
作者:
张宝顺
;
蔡勇
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2013/01/22
栅源场板AlGaN/GaN-HEMT动态特性分析
会议论文
第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 河南开封, 2012-11-7
作者:
张宝顺
;
蔡勇
;
曾春红
收藏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2013/01/22
Electrical and Optical Properties of a Large Area Blue Light Emitting Diode
会议论文
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012(IWN2012), Japan, 2012-10-14
作者:
Yong Cai(蔡勇)
;
Bao Shun Zhang(张宝顺)
;
Wei Huang(黄伟)
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/01/22
提高AlGaN/GaN HEMT 关态击穿电压的纳米沟道阵列结构
会议论文
第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 河南开封, 2012-11-7
作者:
张宝顺
;
曾春红
;
蔡勇
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2013/01/22
低温ICP-CVD氮化硅薄膜沉积技术及其应用
会议论文
第十三届全国固体薄膜学术会议, 烟台大学, 2012-8-6
作者:
张宝顺
;
时文华
;
张晓东
;
王荣新
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浏览/下载:115/0
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提交时间:2013/01/22
402V/5.3A常关型Si衬底AlGaN/GaN功率开关器件
会议论文
2012全国半导体器件技术、产业发展研讨会, 西宁, 2012-7-25
作者:
曾春红
;
赵德胜
;
张宝顺
;
蔡勇
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浏览/下载:66/0
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提交时间:2013/01/22
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