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Long wavelength pseudomorphic InGaNPAsSb type-I and type-II active layers for the gaas material system 专利
专利号: US6859474, 申请日期: 2005-02-22, 公开日期: 2005-02-22
作者:  JOHNSON, SHANE;  DOWD, PHILIP;  BRAUN, WOLFGANG;  ZHANG, YONG-HANG;  GUO, CHANG-ZHI
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