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| 一种纳米线激光器外延结构及其制备方法 专利
专利号: CN109904723A, 申请日期: 2019-06-18, 公开日期: 2019-06-18
作者: 董海亮; 许并社; 贾志刚; 张爱琴; 屈凯
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| 边发射激光器光束整形结构、激光器芯片及其制备方法 专利
专利号: CN109802296A, 申请日期: 2019-05-24, 公开日期: 2019-05-24
作者: 董海亮; 许并社; 贾志刚; 张爱琴; 屈凯
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| 用于p型AlGaN霍尔测试的欧姆接触层及其制备方法 专利
专利号: CN106783978A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
作者: 田爱琴; 刘建平; 池田昌夫; 张书明; 李德尧
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| InGaN/GaN量子阱激光器及其制作方法 专利
专利号: CN106785919A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
作者: 田爱琴; 刘建平; 张书明; 李德尧; 张立群
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| 提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的方法及结构 专利
专利号: CN106784181A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
作者: 田爱琴; 刘建平; 张书明; 李德尧; 张立群
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| 半导体激光器及其制作方法 专利
专利号: CN106785912A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
作者: 程洋; 刘建平; 田爱琴; 冯美鑫; 张峰
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