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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101514484, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 2009-08-26 于广辉; 王新中; 林朝通; 曹明霞; 卢海峰; 李晓良; 巩航; 齐鸣; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2012/01/06 一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101488475, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 2009-07-22 王新中; 于广辉; 林朝通; 曹明霞; 卢海峰; 李晓良; 巩航; 齐鸣; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/01/06 利用均匀纳米粒子点阵掩模提高厚膜GaN质量的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101350298, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-01-21 王新中; 于广辉; 林朝通; 曹明霞; 巩航; 齐鸣; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/01/06 HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO2纳米掩膜及方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101320686, 申请日期: 2008-12-10, 公开日期: 2008-12-10 王新中; 于广辉; 林朝通; 曹明霞; 巩航; 齐鸣; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2012/01/06 磷化铟基量子级联激光器原子层尺度外延材料质量控制方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1731637, 申请日期: 2006-02-08, 公开日期: 2006-02-08 李爱珍; 林春; 李华; 李存才; 胡建; 顾溢; 张永刚; 徐刚毅 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/01/06 磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生长法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1731638, 申请日期: 2006-02-08, 公开日期: 2006-02-08 李爱珍; 陈建新; 李华; 徐刚毅; 张永刚; 林春; 杨全魁; 李存才; 胡建 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/01/06 制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1328175, 申请日期: 2001-01-01, 公开日期: 2001-12-26 李爱珍; 林春; 郑燕兰; 简贵胄; 张永刚 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/01/10