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| 二维电子气沟道半耗尽型霍尔传感器及其制作方法 专利
申请日期: 2018-01-01, 公开日期: 2018-10-12
作者: 黄火林; 曹亚庆; 李飞雨; 孙仲豪
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| 具有二维电子气沟道势垒层局部凹槽结构的霍尔传感器及其制作方法 专利
申请日期: 2018-01-01, 公开日期: 2018-07-24
作者: 黄火林; 曹亚庆; 李飞雨; 孙仲豪
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| 半纵向型欧姆接触电极及其制作方法 专利
申请日期: 2018-01-01, 公开日期: 2018-10-19
作者: 黄火林; 孙仲豪
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| 具有极化结纵向泄漏电流阻挡层结构的HEMT器件及其制备方法 专利
申请日期: 2018-01-01, 公开日期: 2018-12-14
作者: 孙仲豪; 黄火林
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| 一种具有P型埋层结构的增强型HEMT器件及其制备方法 专利
申请日期: 2018-01-01, 公开日期: 2018-12-18
作者: 黄火林; 李飞雨; 陶鹏程; 孙仲豪; 曹亚庆
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| 一种具有局部电流阻挡层的纵向栅极结构功率器件及其制备方法 专利
申请日期: 2018-01-01, 公开日期: 2018-12-18
作者: 黄火林; 孙仲豪; 李飞雨; 曹亚庆; 陶鹏程
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| 一种欧姆接触电极有效宽度的计算和判定方法 专利
申请日期: 2017-01-01, 公开日期: 2018-06-22
作者: 黄火林; 孙仲豪; 李飞雨; 曹亚庆; 胡礼中
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| 适用于高温工作环境的半导体三维霍尔传感器及其制作方法 专利
申请日期: 2017-01-01, 公开日期: 2018-04-27
作者: 黄火林; 曹亚庆; 孙仲豪; 李飞雨
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| 一种半导体电极欧姆接触电阻参数提取方法 专利
申请日期: 2017-01-01, 公开日期: 2018-06-15
作者: 黄火林; 孙仲豪; 曹亚庆; 李飞雨; 胡礼中
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| 具有纵向栅极结构的常关型HEMT器件 专利
申请日期: 2016-01-01, 公开日期: 2016-08-24
作者: 黄火林; 孙仲豪; 梁红伟; 夏晓川; 杜国同
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