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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：Physics    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of the technology of implanting nitrogen into buried oxide layer on the characteristics of partially depleted SOI nMOSFET 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2005, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 348-353 Zheng, ZS; Liu, ZL; Zhang, GQ; Li, N; Fan, K; Zhang, EX; Yi, WB; Chen, M; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 SILICON  SCATTERING  INVERSION  MOBILITY  DEVICES   Effect of hydrogen implantation on SIMOX SOI materials 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 149-152 Yi,WB; Chen,J; Chen,M; Wang,X; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/24 SILICON  OXYGEN  SEPARATION