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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：Physics    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Impact of back-gate bias on the hysteresis effect in partially depleted SOI MOSFETs 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 56602 Luo, JX; Chen, J; Zhou, JH; Wu, QQ; Chai, Z; Yu, T; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/04/17 floating body effect  hysteresis effect  back gate bias  partially depleted (PD) SOI   Impact of back-gate bias on the hysteresis effect in partially depleted SOI MOSFETs 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 56602 Luo, JX; Chen, J; Zhou, JH; Wu, QQ; Chai, Z; Yu, T; Wang, X（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Multidisciplinary